细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅 节能


“绿色能源”时代的助力者—碳化硅器件 知乎
网页2021年12月6日 三、碳化硅器件在节能 减排领域的应用 作为下一代电力电子器件发展的主要方向,SiC器件将为节能减排领域带来重要的技术革新,在提高电能利用效率和实现清 网页2023年3月20日 碳化硅,作为目前发展最成熟的第三代半导体材料,是近年来最火热的材料之一。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减 碳化硅VS氮化镓,谁才是新一代半导体材料的代表? 知乎

碳化硅(SiC)的优势是什么,能给电动汽车带有什么优势? 知乎
网页2022年10月25日 总结来说,碳化硅在新能源汽车上的应用,能够解决新能源车相较燃油车续航不够远、高速不敢开、充电时间长等几大痛点,并可以进一步降低车重、提升操 网页碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提 碳化硅百度百科

迈向碳中和,碳化硅成为挖开新能源产业的大铲子? 中国
网页2021年10月20日 “双碳”、碳化硅、新能源有何神秘关系?节能 减排是碳达峰、碳中和的核心工作。这其中涉及到能源结构的升级改革,可以通过提高能源的利用率以及提升绿色 网页2021年11月10日 项目名称: 碳化硅半导体材料项目 项目状态: 新办 行政许可决定文书名称: 上海市发展和改革委员会关于碳化硅半导体材料项目节能报告的审查意见 许可机关: 上海 上海市发展和改革委员会关于碳化硅半导体材料项目节能报告

sic 碳化硅mosfet英飞凌(infineon)官网 Infineon
网页1 天前 英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。CoolSiC™ MOSFET系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功 网页2023年4月17日 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 腾讯新闻

山东天岳:碳化硅应用实现节能重大突破 中国粉体网
网页2012年11月1日 随着节能需求逐步增加,半导体碳化硅材料生产不但要降低自身的能耗,还要担负起降低系统能耗的重任。 作为以研制、生产半导体晶体及衬底材料为主的高科技企 网页碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。碳化硅百度百科

碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
网页2020年3月16日 关键词:碳化硅;功率器件;二极管;结型场效应晶体管;金氧半场效晶体管;绝缘栅双极型晶体管;门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。0 引言 功率器件是电力电子技术的核心,在电力电子网页2021年10月20日 “双碳”、碳化硅、新能源有何神秘关系?节能 减排是碳达峰、碳中和的核心工作。这其中涉及到能源结构的升级改革,可以通过提高能源的利用率以及提升绿色能源的比例来逐步实现,例如,国内要实现“碳中和”,需要发力的方向有:供给端 迈向碳中和,碳化硅成为挖开新能源产业的大铲子? 中国

碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 腾讯新闻
网页2023年4月17日 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求,主要被用于制作高速、 网页2021年1月28日 碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅器件相比具有以下突出的优点: (1)具有更低的导通电阻。 在低击穿电压 (约50V)下,碳化硅器件的比导通电阻仅有112uΩ,是硅同类器件的约1/100。 在高击穿电压 (约5kV)下,比导通电阻提高 碳化硅器件及其发展现状电压

碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 知乎
网页2023年4月17日 切片是碳化硅单晶加工过程的道工序,决定了后续薄化、抛光的加工水平,是整个 环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯,但碳化硅硬度高, 需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间,且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅 粉尘的形式成为废料,单个晶锭 网页2 天之前 特斯拉:造神者灭神 Wolfspeed与碳化硅概念股最近一次的暴跌,是因为马斯克在3月初的特斯拉投资者日上宣布:单车减用75%的碳化硅。 但市场似乎 造神者推倒神像:碳化硅的崛起和塌房新浪科技新浪网

碳化硅技术 真能终结电动车里程焦虑吗腾讯新闻
网页2022年4月14日 相比于芯片制造的传统硅基材料,由于碳化硅在高电压、大功率工作环境下性能更加优异,且电流传导效率更高,因此也可以让采用该技术的电动车更节能,并拥同时有更小巧紧凑的动力系统布局。 目前看,碳化硅在纯电动车的电机功率控制模块和充电设备中 网页2022年5月10日 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的核心。 相较于前两代材料,碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,具有较高的导热率、熔点等。 #碳化硅# 基于碳化硅材料的半导 碳化硅:第三半导体核心材料,产业链龙头全梳理半导体材料

AI大模型算力必选!第四代半导体氧化镓材料节能是碳化硅的6
网页2023年4月20日 包括晶圆芯片光电器财富号东方财富网 AI大模型算力必选! 第四代半导体氧化镓材料节能是碳化硅的6倍! 包括晶圆芯片光电器 我国其实开展氧化镓研究已经十余年,但是直到近年来46所的技术突破实现了距离产业化"一步之遥",从公开资料能了解到目前 网页2 天之前 特斯拉:造神者灭神 Wolfspeed与碳化硅概念股最近一次的暴跌,是因为马斯克在3月初的特斯拉投资者日上宣布:单车减用75%的碳化硅。 但市场似乎 造神者推倒神像:碳化硅的崛起和塌房新浪科技新浪网

碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 腾讯新闻
网页2023年4月17日 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势,满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求,主要被用于制作高速、 网页2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将 2019 年 11 月,公司与中科钢研、国宇中宏签署了《中科钢研节能科技有限公司与国 宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有

碳化硅器件及其发展现状电压
网页2021年1月28日 碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅器件相比具有以下突出的优点: (1)具有更低的导通电阻。 在低击穿电压 (约50V)下,碳化硅器件的比导通电阻仅有112uΩ,是硅同类器件的约1/100。 在高击穿电压 (约5kV)下,比导通电阻提高 网页2020年3月16日 关键词:碳化硅;功率器件;二极管;结型场效应晶体管;金氧半场效晶体管;绝缘栅双极型晶体管;门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。0 引言 功率器件是电力电子技术的核心,在电力电子碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE

揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿
网页2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发 网页2023年4月17日 切片是碳化硅单晶加工过程的道工序,决定了后续薄化、抛光的加工水平,是整个 环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯,但碳化硅硬度高, 需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间,且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅 粉尘的形式成为废料,单个晶锭 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 知乎

AI大模型算力必选!第四代半导体氧化镓材料节能是碳化硅的6
网页2023年4月20日 包括晶圆芯片光电器财富号东方财富网 AI大模型算力必选! 第四代半导体氧化镓材料节能是碳化硅的6倍! 包括晶圆芯片光电器 我国其实开展氧化镓研究已经十余年,但是直到近年来46所的技术突破实现了距离产业化"一步之遥",从公开资料能了解到目前 网页一 碳化硅SiC概览半导体材料按照历史进程可分为:代(高纯度硅),第二代(砷化镓、磷化铟),第三代(碳化硅、氮化镓)。碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料,碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能。基于碳化硅材料的半导体器件主要应用于新能第三代半导体材料:碳化硅SiC产业及个股梳理 一 碳化硅

800V高压系统的驱动力和系统架构分析——为什么是800V
网页2023年4月20日 相比400V系统,一者800V高压系统电池、电驱以及其他高压部件电流小,相关部件损耗和线束损耗以都可以降低;二者伴随着第三代半导体碳化硅技术的引入,各高压部件尤其是电驱部件的能耗可以大幅降低,实现车辆节能行驶。 为什么使用碳化硅半导体
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